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然而，從筆電的市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供不應求，4GB DDR3/DDR4模組合約均價終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型DRAM價格將持續上漲，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15％，整體獲利結構逐步攀升彰化縣埔鹽鄉身份證貸款，DRAM市場未來一年都將維持健康供需狀態。臺東縣太麻里鄉證件借錢高雄市鹽埕區身分證借款臺北市中正區身份證貸款彰化縣竹塘鄉身份證借款
在NAND Flash部分，第三季蘋果與中國系統大廠華為、Vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D NAND速度不如預期情況下，市場供不應求。此外，企業級固態硬碟（SSD）需求、筆電SSD搭載率快速提升，同步造成第三季NAND Flash出現產能缺口。
受到上述系統端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、SanDisk、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流TCL規格128Gb NAND晶圓合約均價已較6月底漲10％以上。
工商時報【涂志豪╱台北報導】
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出貨比重將逼近45％，伺服器DRAM出貨比重突破25％，標準型DRAM則僅剩不宜蘭縣壯圍鄉身份證貸款桃園市大園區身份證借錢到20％。
Mobile DRAM則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求，及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定雲林縣土庫鎮身分證借款的第四季合約漲價超過一成，預期第四季Mobile DRAM漲幅也將相當可觀。
受到第三季進入旺季需求帶動，記憶體、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢，集邦科技旗下記憶體儲臺中市龍井區身份證借錢存事業處DRAMeXchange表示，記憶體在筆電需求回溫、智慧型手機延續強臺南市關廟區身份證借款勁成長態勢、與伺服器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式Mobile
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